Halfgeleiderfysica

Ga naar: navigatie, zoeken

Samenvattingen

Klik hier om de samenvattingen te bekijken

Informatie over het examen

Het vak wordt gegeven door prof. Stesmans. Het examen bestaat uit een viertal vragen waarvan één uitgebreid mondeling wordt besproken, de rest van de vragen zijn schriftelijk. Tijdens het mondelinge gedeelte zal de prof u ook enkele vragen stellen over andere delen van de cursus.

Examenvragen

15 januari 2010

Vraag 1 (mondeling)

  • Leg uit wat de effectieve massa inhoudt en hoe deze klassiek werd ingevoerd. Bereken de effectieve massa met de k.p methode. Wat is de relevantie + interpretatie k.p methode?
  • Extra vragen tijdens mondeling gedeelte:
    • ondiepe en diepe onzuiverheden
    • echte en onechte pseudomorfe groei
    • 2 manieren om de bandkloof te bepalen
    • waarom mobiliteit gebruiken bij halfgeleiders (en waarom niet bij metalen?)
    • ...

Vraag 2

  • Teken de ladingsdragersdichtheid, ladingsdichtheid, potentiaal en elektrisch veld voor de pn-junctie voor V=0 en V verschillend van 0. Leg uit.

Vraag 3

  • Bepaal het gebied (-d_p,d_n) van de depletiezone, vertrekkende met formule (28.12) (uit het boek Ashcroft and Mermin)

Vraag 4 (oefening)

  • Bepaal de absorptiecoeficient indien een GaAs film van 1 micrometer dik 50% van de invallende straling absorbeert. Bepaal de generatiesnelheid aan het oppervlak indien het vermogen, van een invallende monochromatische lichtbundel met hv= 1,36 (?)eV, 50W/cm² (?) is. Op welke afstand is de generatiesnelheid gereduceerd tot 20%?